Samsung запускает в массовое производство первый в индустрии 8-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4

Комментируя запуск нового чипа, исполнительный вице-президент подразделения Memory Sales and Marketing Samsung Electronics Джу Сан Чой (Joo Sun Choi) не стал скромничать: «Инициируя производство 20-нм 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4, которые работают даже быстрее, чем DRAM для ПК и серверов и при этом потребляют гораздо меньше энергии, мы вносим свой вклад в своевременный запуск флагманских мобильных устройств с большим экраном c разрешением UHD. Это крупное достижение в индустрии мобильной памяти, и мы будем продолжать тесно сотрудничать с мировыми производителями мобильных устройств, чтобы оптимизировать DRAM решения для мобильных ОС следующего поколения».

По данным Samsung, новый чип обеспечивает вдвое большую производительность и плотность по сравнению с 4-Гбит LPDDR3 чипами класса 20-нм.

Отметим, что, имея скорость ввода/вывода данных до 3200 мегабит в секунду, что в два раза быстрее, чем у стандартных DDR3 DRAM, используемых в ПК, чип может поддерживать запись и воспроизведение видео в формате UHD и непрерывную съемку в высоком разрешении более чем 20 мегапикселей.

Рабочее напряжение нового чипа LPDDR4 было снижено на 1,1В относительно чипов предыдущего поколения LPDDR3, что делает новый чип от Samsung решением мобильной памяти с наименьшим потреблением энергии, доступным для смартфонов и планшетов с большим экраном и высокопроизводительных систем (опять же, по собственным данным Samsung). «Например, при использовании 2-Гбайт модуля на основе 8-Гбит LPDDR4 вы можете сэкономить до 40 процентов энергии по сравнению с использованием 2-Гбайт модулем на основе 4-Гбит LPDDR3 за счет более низкого рабочего напряжения и более быстрой обработки», - уверяют представители производителя.

В Samsung говорят, что, применив новую технологию swing-terminated logic (LVSTL) для передачи сигналов ввода/вывода, им удалось снизить энергопотребление нового чипа LPDDR4 и обеспечить возможность проводить высокочастотные операции при низком напряжении для оптимальной энергоэффективности.

Отметим также, что уже в этом месяце компания Samsung начала выпуск 2-Гбайт LPDDR4 и 3-Гбайт LPDDR4 модулей на основе 8-Гбит и 6-Гбит LPDDR4 соответственно, и эти решения уже могут приобрести поставщики процессоров и производители мобильных устройств по всему миру, а в начале 2015 года Samsung планирует начать производство модулей 4-Гбайт LPDDR4.

Кроме того, Samsung планирует увеличить объем производства продуктов из своей линейки 20-нм DRAM чипов мобильной памяти, в том числе нового чипа 8-Гбит LPDDR4 и недавно запущенного 8-Гбит чипа DRAM-памяти для серверов, что должно способствовать ускорению темпов роста рынка DRAM-решений высокой плотности.