Toshiba расширяет семейство сверхэффективных высокоскоростных МОП-транзисторов для поверхностного монтажа новыми моделями с напряжением до 250 В

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) объявила о новой модели UMOS VIII-H (с U-образными канавками) в семействе сверхэффективных МОП-транзисторов. 32 новых устройства помогут проектировщикам сэкономить место и сократить потери в системах синхронного выпрямления, основных и дополнительных переключателях и других высокоскоростных модулях, рассчитанных на работу при напряжении от 60 до 250 В.
 
Новейшие МОП-транзисторы рассчитаны на разные напряжения: 60, 80, 100, 150, 200 и 250 В. Кроме того, каждое устройство выпускается в двух плоских корпусах для поверхностного монтажа: SOP Advance или TSON Advance. Их площадь монтажа на плату составляет 5 x 6 мм и 3 x 3 мм, соответственно, а значения сопротивления (RDS(ON)) у многих моделей в этом семействе являются лучшими в своем классе. Например, 100-вольтовый транзистор TPH4R50ANH (макс. RDS(ON) = 4,5 мОм при VGS = 10 В) и 200-вольтовый TPH2900ENH (макс. RDS(ON) = 29 мОм при VGS = 10 В) сочетают в себе наименьшие номинальные значения RDS(ON) с очень низкими значениями заряда затвора (Qg) и входной емкости (Ciss).
 
Новые МОП-транзисторы UMOS VIII-H от Toshiba основаны на фирменной полупроводниковой технологии UMOS (с U-образными канавками) восьмого поколения. Эта технология обеспечивает существенное улучшение RDS(ON) и Ciss, что приводит к повышению эффективности и ускорению переключения при одновременном снижении излучаемых помех.
 
Область применения МОП-транзисторов для поверхностного монтажа, рассчитанных на напряжение 60–250 В, весьма широка: преобразование переменного тока в постоянный и постоянного тока в постоянный в промышленных системах, цифровая бытовая техника, компьютерное оборудование и игровая продукция. Устройства, рассчитанные на напряжение 80–150 В, особенно хорошо подходят для систем электропитания различного телекоммуникационного оборудования.